观赏甘薯盆栽栽培方法 打印本文 打印本文  关闭窗口 关闭窗口  
作者：佚名  文章来源：本站原创  点击数4825  更新时间：2019/4/17 18:19:09  文章录入：admin  责任编辑：admin
 
摘要： 本发明公开了一种观赏甘薯盆栽栽培方法，旨在解决甘薯盆栽观赏性低的技术问题。该方法为：选择具有特殊叶形或叶色的甘薯品种；采用陶土花盆，所述花盆的盆口直径为30～35cm，盆底直径为15～20cm，花盆高度为25～30cm；盆栽基质由质量比为1：0.5～1的草炭土或泥炭土和蛭石或珍珠岩组成；甘薯苗种植前，对薯苗进行消毒和生根处理；甘薯苗栽种后遮阴；一周后摘除老叶...   查看全部>>
  • 专利类型：
    发明专利
  • 申请/专利号：
    CN201811268644.3
  • 申请日期：
    2018-10-29
  • 公开/公告号：
    CN109042273A
  • 公开/公告日：
    2018-12-21
  • 主分类号：
    A01G31/00(2018.01)I  A  A01  A01G  A01G31 
  • 分类号：
    [A01G31/00, A01G24/28, A01G24/15, A01G24/10]
  • 申请/专利权人：
    河南省农业科学院粮食作物研究所 
  • 发明/设计人：
    徐心志 杨国红 杨育峰 王雁楠 杨晓平 张莉 陈献功
  • 主申请人地址：
    450002 河南省郑州市金水区花园路116号
  • 专利代理机构：
    河南科技通律师事务所 41123
  • 代理人：
    张晓辉%樊羿
  • 国别省市代码：
    河南;41
  • 主权项：
    1.一种观赏甘薯盆栽栽培方法，包括以下步骤：（1）选择具有一定叶形或/和叶色的甘薯品种；（2）采用陶土花盆，所述花盆的盆口直径为30～35cm，盆底直径为15～20cm，花盆高度为25～30cm，盆地有3～5个直径为0.8～1.2cm的出水孔；（3）盆栽基质由质量比为1：0.5～1的草炭土或泥炭土和蛭石或珍珠岩组成，所述基质中氮：磷：钾质量比为1～1.5 : 2～2.5 : 1～1.5；（4）甘薯苗种植前，对薯苗进行消毒和生根处理；（5）甘薯苗栽种后，遮阴2～3天；一周后摘除老叶；两周后，保持整盆生长的均匀的方式修剪薯苗；控制温度为18～30℃，光照为10～12小时，空气湿度50～55%，土壤湿度60～65%；每周喷洒一次浓度为0.3～0.5%的磷酸二氢钾溶液；（6）成活四个月后，每周对叶面喷洒一次营养液；所述营养液由0.02～0.04mg/ml的IAA、0.2～0.3 mg/ml的磷酸铵、0.1～0.15 mg/ml的硫酸铵、1～2 mg/ml的硝酸钾、0.1～0.15mg/ml的硝酸铵、0.01～0.02 mg/ml的硫酸亚铁、0.001～0.002mg/ml的硫酸锌组成；（7）防治虫害。
  • 法律状态：
    在审